APTM10TDUM19PG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM10TDUM19PG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM10TDUM19PG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6-P
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 35A, 10V
Leistung - max

208W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V
Typ FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "APTM10TDUM19PG" -Einziper.

MB90022PF-GS-316

Beschreibung: IC MCU 16B FFMC-16F-0.35 100QFP

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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