APTM120A15FG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM120A15FG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM120A15FG.pdf
2.APTM120A15FG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 30A, 10V
Leistung - max

1250W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 60A 1250W Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A

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Das Folgende sind "APTM120A15FG" -Einziper.

APTM120DA29TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM120A15FG

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