APTM120DSK57T3G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM120DSK57T3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM120DSK57T3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

684 mOhm @ 8.5A, 10V
Leistung - max

390W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP3
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A

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Das Folgende sind "APTM120DSK57T3G" -Einziper.

APTM120H57FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM120DSK57T3G

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