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APTM10SKM02G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM10SKM02G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM10SKM02G.pdf
2.APTM10SKM02G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 200A, 10V
Verlustleistung (max)

1250W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

495A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM10SKM02G" -Einziper.

APTM120A20DG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM10SKM02G

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