APTM10DUM02G

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100+

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM10DUM02G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM10DUM02G.pdf
2.APTM10DUM02G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 200A, 10V
Leistung - max

1250W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

495A

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Das Folgende sind "APTM10DUM02G" -Einziper.

APTM10SKM05TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM10DUM02G

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