APTM100U13SG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100U13SG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 65A J3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM100U13SG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Module
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 32.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1250W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

J3 Module
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2000nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 65A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount Module
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

65A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM100U13SG" -Einziper.

APTM100TA35SCTPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM100U13SG

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