APTM100SK18TG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100SK18TG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM100SK18TG.pdf
2.APTM100SK18TG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SP4
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 21.5A, 10V
Verlustleistung (max)

780W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP4
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 43A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

43A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM100SK18TG" -Einziper.

APTM100DU18TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM100SK18TG

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