APTM100UM65SCAVG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100UM65SCAVG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM100UM65SCAVG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 20mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 72.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3250W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Module
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1068nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 145A (Tc) 3250W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

145A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM100UM65SCAVG" -Einziper.

APTM10DDAM19T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Hersteller: Microsemi

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