APTM100TDU35PG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100TDU35PG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM100TDU35PG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6-P
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Leistung - max

390W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
Typ FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V (1kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A

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Das Folgende sind "APTM100TDU35PG" -Einziper.

CPS19-NO00A10-SNCCWTNF-AI0CYVAR-W0000-S

Beschreibung: SWITCH PUSH SPST-NO 100MA 42V

Hersteller: Schurter

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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