APTM100H18FG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100H18FG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM100H18FG.pdf
2.APTM100H18FG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 21.5A, 10V
Leistung - max

780W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V
Typ FET

4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V (1kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

43A

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Das Folgende sind "APTM100H18FG" -Einziper.

APTM100H46FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM100H18FG

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