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2302248APT60S20SG/TR-Bild.Microsemi Corporation

APT60S20SG/TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60S20SG/TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Schottky
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    75A
  • Spannung - Durchschlag
    D3Pak
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    55ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    22 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    APT60S20SG/TR
  • Expanded Beschreibung
    Diode Schottky 200V 75A Surface Mount D3Pak
  • Diodenkonfiguration
    1mA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    900mV @ 60A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C
APT66F60L

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20BG

APT60S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT66F60B2

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60J

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT66M60B2

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B

APT64GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT66M60L

APT66M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20SG

APT60S20SG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
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APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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