APT60N60BCSG

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Spezifikation

Artikelnummer

APT60N60BCSG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT60N60BCSG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 44A, 10V
Verlustleistung (max)

431W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "APT60N60BCSG" -Einziper.

APT60S20SG/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Hersteller: Microsemi Corporation

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