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2955896APT60S20BG-Bild.Microsemi

APT60S20BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60S20BG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 60A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    55ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Andere Namen
    APT60S20BGMI
    APT60S20BGMI-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 200V 75A Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1mA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    75A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT66F60L

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60J

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20SG

APT60S20SG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT66F60B2

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B

APT64GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
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APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi
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