Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT60M75JLL
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
4375057APT60M75JLL-Bild.Microsemi

APT60M75JLL

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
10+
$53.938
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60M75JLL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 29A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    595W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8930pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 58A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    58A (Tc)
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GA60JD60

APT60GA60JD60

Beschreibung: IGBT 600V 112A 356W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GT60JR

APT60GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Beschreibung: MOD DIODE 200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden