APT11N80KC3G

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Spezifikation

Artikelnummer

APT11N80KC3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT11N80KC3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 680µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220 [K]
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 7.1A, 10V
Verlustleistung (max)

156W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "APT11N80KC3G" -Einziper.

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11N80KC3G

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