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1658105APT11GP60BDQBG-Bild.Microsemi

APT11GP60BDQBG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT11GP60BDQBG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 41A 187W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 11A
  • Testbedingung
    400V, 11A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    7ns/29ns
  • Schaltenergie
    46µJ (on), 90µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247-3
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Leistung - max
    187W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    40nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    45A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    41A
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT11F80B

APT11F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11F80S

APT11F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT12057JLL

APT12057JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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