Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT11GF120KRG
Online-Anfrage
Deutsch
5169524

APT11GF120KRG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT11GF120KRG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 25A 156W TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 8A
  • Testbedingung
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    7ns/100ns
  • Schaltenergie
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220 [K]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    156W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    65nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    44A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    25A
1808Y0630123KXR

1808Y0630123KXR

Beschreibung: CAP CER 0.012UF 63V X7R 1808

Hersteller: Knowles Syfer
vorrätig
A3P250L-PQ208I

A3P250L-PQ208I

Beschreibung: IC FPGA 151 I/O 208QFP

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden