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APT11F80B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT11F80B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    337W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2471pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Tc)
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11F80S

APT11F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Beschreibung: IGBT 600V 41A 187W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11B2VFRG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11GF120BRDQ1G

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Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
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