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APT10DC120HJ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT10DC120HJ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1.2kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 10A
  • Technologie
    Silicon Carbide Schottky
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100M50J

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100S20BG

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60L

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
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