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APT100M50J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100M50J
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 75A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    960W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Andere Namen
    APT100M50JMI
    APT100M50JMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    24600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    620nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    103A (Tc)
APT100S20LCTG

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JRDQ4

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Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JR

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Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN60B2G

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Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100MC120JCU2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100S20BG

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60JRDQ4

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Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M09B2VFRG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60L

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Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60B2RG

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Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
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APT10M11B2VFRG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60JR

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Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120JDQ4

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Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN60LDQ4G

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Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

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