APT100MC120JCU2

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Spezifikation

Artikelnummer

APT100MC120JCU2
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT100MC120JCU2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 2mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 100A, 20V
Verlustleistung (max)

600W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5960pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 143A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

143A (Tc)

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Das Folgende sind "APT100MC120JCU2" -Einziper.

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

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