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5337532APT100S20BG-Bild.Microsemi

APT100S20BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100S20BG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    70ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Andere Namen
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2mA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    120A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100M50J

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT102GA60L

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
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