International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM8228TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHM8228TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHM8228TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 34W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1667pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Ta)

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Das Folgende sind "IRFHM8228TRPBF" -Einziper.

IRFHM830DTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFHM8228TRPBF

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