International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM830DTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHM830DTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHM830DTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (3x3)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 37W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VQFN Exposed Pad
Andere Namen

SP001554840
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1797pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Ta), 40A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFHM830DTRPBF" -Einziper.

IRFHM8330TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFHM830DTRPBF

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