International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM4226TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHM4226TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHM4226TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta), 39W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-TQFN Exposed Pad
Andere Namen

IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

28A (Ta)

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Das Folgende sind "IRFHM4226TRPBF" -Einziper.

IRFH8334TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFHM4226TRPBF

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