International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHE4250DTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHE4250DTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHE4250DTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA
Supplier Device-Gehäuse

32-PQFN (6x6)
Serie

FASTIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75 mOhm @ 27A, 10V
Leistung - max

156W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

32-PowerWFQFN
Andere Namen

IRFHE4250DTRPBF-ND
IRFHE4250DTRPBFTR
SP001564116
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 86A, 303A 156W Surface Mount 32-PQFN (6x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

86A, 303A
Basisteilenummer

IRFHE4250

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Das Folgende sind "IRFHE4250DTRPBF" -Einziper.

IRFHM792TR2PBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFHE4250DTRPBF

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