SQM100N04-2M7_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQM100N04-2M7_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQM100N04-2M7_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D²Pak)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

157W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7910pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "SQM100N04-2M7_GE3" -Einziper.

SQM100P10-19L_GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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