SQM100P10-19L_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQM100P10-19L_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQM100P10-19L_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D²Pak)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

375W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 93A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

93A (Tc)

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Das Folgende sind "SQM100P10-19L_GE3" -Einziper.

SQM10AJB-0R15

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo

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