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3174771ZXMN6A07FTC-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN6A07FTC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN6A07FTC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    625mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 1.2A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.2A (Ta)
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Beschreibung: MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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