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887244ZXMN3B01FTA-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN3B01FTA

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  • Artikelnummer
    ZXMN3B01FTA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    625mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    ZXMN3B01FTA-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    258pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.93nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.7A (Ta)
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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