Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN6A08KTC
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
5454257ZXMN6A08KTC-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN6A08KTC

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.339
10+
$0.332
30+
$0.327
100+
$0.323
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN6A08KTC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.12W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    ZXMN6A08KTCDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    459pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 5.36A (Ta) 2.12W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.36A (Ta)
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Beschreibung: MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden