ZXMN6A09DN8TC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN6A09DN8TC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN6A09DN8TC.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 8.2A, 10V
Leistung - max

1.25W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.3A

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Das Folgende sind "ZXMN6A09DN8TC" -Einziper.

ZXMN6A08GQTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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