DMTH6009LK3Q-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2500+

$0.584

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6009LK3Q-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6009LK3Q-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 60W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMTH6009LK3Q-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.2A (Ta), 59A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "DMTH6009LK3Q-13" -Einziper.

DMTH6009LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LK3Q-13

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

SEMI: Globale Halbleiterausläufe erreichten 32,05 Milliard...

JPCA Show 2025 Opens in Tokyo: Advancing Global Collaborati...

SK Hynix überholt Samsung zum ersten Mal und führt den gl...

World Environment Day： Futuretech’s Real-World Actions To...

WSTS: Es wird erwartet, dass die globale Semiconductor -Mar...

AI-Driven Future: Semiconductor and Electronic Component In...

Renesas Electronics Abandons SIC Power Chip -Produktionspla...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD erwirbt Silicon Photonics Chip Company Enoemi und stär...

AI Chip -Startup EdgeCortix erhält 3 Milliarden Yen -Subve...

WolfSpeed ​​Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...

Institution: Die erwarteten NAND-Flash-Preise werden im dri...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache

WolfSpeed Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...