DMTH6010LPDQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6010LPDQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6010LPDQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max

2.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMTH6010LPDQ-13-ND
DMTH6010LPDQ-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

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DMTH6016LSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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