DMTH6009LPS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6009LPS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMTH6009LPS-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 11.76A (Ta), 89.5A (Tc) 2.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.76A (Ta), 89.5A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH6009LPS-13" -Einziper.

DMTH6010LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

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