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DMTH43M8LK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH43M8LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH43M8LK3-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

88W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2693pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Tc) 88W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH43M8LK3-13" -Einziper.

DMTH43M8LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

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