DMTH6004SCTBQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6004SCTBQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6004SCTBQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

4.7W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

DMTH6004SCTBQ-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH6004SCTBQ-13" -Einziper.

DMTH6005LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

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DMTH6004SCTBQ-13

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