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DMTH6004SCT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMTH6004SCT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 60V 100A TO220-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.65 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    DMTH6004SCTDI-5
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Beschreibung: MOSFET 60V 90A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
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