DMN3026LVT-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3026LVT-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3026LVT-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

DMN3026LVT-7DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

643pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.6A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3026LVT-7" -Einziper.

DMN3027LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3026LVT-7

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