DMN3025LFDF-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3025LFDF-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3025LFDF-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type F)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

641pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 9.9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.9A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3025LFDF-13" -Einziper.

ATS-06E-207-C1-R0

Beschreibung: HEATSINK 60X60X12MM XCUT

Hersteller: Advanced Thermal Solutions, Inc.

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RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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