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DMN3024LSD-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3024LSD-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3024LSD-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max

1.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMN3024LSD-13DITR
DMN3024LSD13
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A
Basisteilenummer

DMN3024LSD

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Das Folgende sind "DMN3024LSD-13" -Einziper.

DMN3025LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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