DMN3029LFG-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3029LFG-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3029LFG-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.6 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMN3029LFG-7DITR
DMN3029LFG7
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.3A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3029LFG-7" -Einziper.

DMN3031LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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