DMN3020LK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3020LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3020LK3-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

2.17W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMN3020LK3-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11.3A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.3A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3020LK3-13" -Einziper.

DMN3021LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3020LK3-13

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