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6356513DMJT9435-13-Bild.Diodes Incorporated

DMJT9435-13

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  • Artikelnummer
    DMJT9435-13
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1.2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    160MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 3A 160MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    125 @ 800mA, 1V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    3A
2SC3668-Y,T2WNLF(J

2SC3668-Y,T2WNLF(J

Beschreibung: TRANS NPN 2A 50V SC71

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
2SB1424T100R

2SB1424T100R

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DXT13003DG-13

DXT13003DG-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
PN2907ATFR

PN2907ATFR

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PBSS5330PA,115

PBSS5330PA,115

Beschreibung: TRANS PNP 30V 3A SOT1061

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BC850BE6327HTSA1

BC850BE6327HTSA1

Beschreibung: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BD898-S

BD898-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 8A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
PN2222ATF

PN2222ATF

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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