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DMJ70H600SH3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMJ70H600SH3
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMJ70H600SH3.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-251
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    113W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Tc)

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Das Folgende sind "DMJ70H600SH3" -Einziper.
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ

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