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5401069DMJ70H601SK3-13-Bild.Diodes Incorporated

DMJ70H601SK3-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMJ70H601SK3-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    686pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
AOT12N65_001

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
DMJ2833-000

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
DMJ7N70SK3-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IRF6706S2TRPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DMJ70H900HJ3

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Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D3SH3

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Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H601SV3

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IRFU9024

IRFU9024

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DMJ70H1D3SI3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D0SV3

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
NVMFS6B85NLT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DMJ70H1D3SJ3

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJ70H600SH3

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Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IPP65R310CFDXKSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
ECH8419-TL-H

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Beschreibung: MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FCP7N60_F080

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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