DMJ70H1D3SH3

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Spezifikation

Artikelnummer

DMJ70H1D3SH3
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMJ70H1D3SH3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-251
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

41W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Andere Namen

DMJ70H1D3SH3-ND
DMJ70H1D3SH3DI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

700V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.6A (Tc)

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Das Folgende sind "DMJ70H1D3SH3" -Einziper.

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.

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