TPC8051-H(TE12L,Q)

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8051-H(TE12L,Q)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPC8051-H(TE12L,Q).pdf
2.TPC8051-H(TE12L,Q).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

U-MOSVI-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

TPC8051-HTE12LQDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7540pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta)

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Das Folgende sind "TPC8051-H(TE12L,Q)" -Einziper.

TPC8110(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPC8051-H(TE12L,Q)

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