TPC8032-H(TE12LQM)

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8032-H(TE12LQM)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPC8032-H(TE12LQM).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2846pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 15A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Ta)

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Das Folgende sind "TPC8032-H(TE12LQM)" -Einziper.

TPC8021-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPC8032-H(TE12LQM)

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