TK16E60W5,S1VX

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Spezifikation

Artikelnummer

TK16E60W5,S1VX
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK16E60W5,S1VX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 790µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 7.9A, 10V
Verlustleistung (max)

130W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK16E60W5,S1VX" -Einziper.

TK17E65W,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK16E60W5,S1VX

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